本书是在作者近几年的研究成果上著作而成的,着眼于VA族元素形成的二维材料体系,采用基于密度泛函理论的性原理研究方法,对VA族元素形成的磷烯以及原子厚度的二元VA-VA族半导体化合物的结构和性能进行系统研究,主要内容包括利用性原理密度泛函理论计算,研究了IIIA、IVA、VA、VIA族非金属原子(如B, C, N, O等)替代掺杂的二维磷烯的几何结构、电子结构和热力学稳定性,以及过渡金属(如Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni等)掺杂的二维黑磷磷烯以及蓝磷磷烯的稀磁半导体以及半金属属性。
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